| n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光 | |
| 吴国光; 沈春生; 郭忠杰; 高福斌; 宋力君; 张硕; 李万程 | |
| 2011 | |
| 会议名称 | 第十八届全国半导体物理学术会议 |
| 会议日期 | 2011-08-20 |
| 会议地点 | 呼和浩特 |
| 关键词 | 氮化铟材料 分子束外延技术 电致发光 物理性能 |
| 页码 | 153 |
| 会议录 | 第十八届全国半导体物理学术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4844439 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012 2.大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴国光,沈春生,郭忠杰,等. n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光[C]. 见:第十八届全国半导体物理学术会议. 呼和浩特. 2011-08-20. |
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