| 高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征 | |
| 冯秋菊; 冯宇; 梁红伟; 王珏; 陶鹏程; 蒋俊岩; 赵涧泽; 李梦轲; 宋哲; 孙景昌 | |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 2011 | |
| 卷号 | 32页码:154-158 |
| 关键词 | As掺杂 ZnO纳米线阵列 化学气相沉积 光致发光 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4833267 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.辽宁师范大学物理与电子技术学院,辽宁,大连,116029 2.大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯秋菊,冯宇,梁红伟,等. 高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征[J]. 发光学报,2011,32:154-158. |
| APA | 冯秋菊.,冯宇.,梁红伟.,王珏.,陶鹏程.,...&孙景昌.(2011).高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征.发光学报,32,154-158. |
| MLA | 冯秋菊,et al."高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征".发光学报 32(2011):154-158. |
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