| Effect of Oxide Layer on Al-induced Crystallization of Amorphous Si(1-x)Ge(x) Thin Films | |
| Zhang, Tianwei; Ma, Fei; Xu, Kewei | |
| 2010 | |
| DOI | 10.1109/INEC.2010.5424907 |
| 页码 | 493-494 |
| 会议录 | INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2
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| URL标识 | 查看原文 |
| ISSN号 | 9781424435449 |
| WOS记录号 | WOS:000282026500248 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4811131 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Tianwei,Ma, Fei,Xu, Kewei. Effect of Oxide Layer on Al-induced Crystallization of Amorphous Si(1-x)Ge(x) Thin Films[C]. 见:. |
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