粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明) | |
尧舜 ; 王立军 ; 刘云 ; 张彪 ; 姚迪 ; 王超 | |
2007-06-27 | |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体,在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体,将圆柱体横截面分割成两半,在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区,在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体,完成热沉的制作。结构包括:热沉基体1、通孔…… |
公开日期 | 2007-06-27 |
专利申请号 | 200510016714.2 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11415] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尧舜,王立军,刘云,等. 粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明). 2007-06-27. |
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