粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明)
尧舜 ; 王立军 ; 刘云 ; 张彪 ; 姚迪 ; 王超
2007-06-27
专利类型发明专利
权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中文摘要本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体,在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体,将圆柱体横截面分割成两半,在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区,在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体,完成热沉的制作。结构包括:热沉基体1、通孔……
公开日期2007-06-27
专利申请号200510016714.2
内容类型专利
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11415]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
尧舜,王立军,刘云,等. 粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明). 2007-06-27.
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