| 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) | |
| 单崇新 ; 范希武 ; 张吉英 ; 张振中 ; 王晓华 ; 吕有明 ; 刘益春 ; 申德振 | |
| 2006-09-13 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Ｓｉ衬底上生长Ⅱ－Ⅵ族薄膜的方法，是对Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Ｓｉ衬底上蒸镀一层ＺｎＯ薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ＺｎＯ缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的方法在处理过的ＺｎＯ／Ｓｉ上生长Ⅱ－Ⅵ族半导体材料。在Ｓｉ上蒸…… |
| 公开日期 | 2006-09-13 |
| 专利申请号 | 2144730.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11384]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单崇新,范希武,张吉英,等. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明). 2006-09-13. |
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