硅衬底上生长II-VI族材料薄膜的方法 (发明) | |
单崇新 ; 范希武 ; 张吉英 ; 张振中 ; 王晓华 ; 吕有明 ; 刘益春 ; 申德振 | |
2006-09-13 | |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
中文摘要 | 本发明属于本发明属于半导体材料领域,涉及在半导体材料Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族薄膜的方法,是对Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜生长方法的改进,本发明先在Si衬底上蒸镀一层ZnO薄膜,然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ZnO缓冲层,最后用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法在处理过的ZnO/Si上生长Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。在Si上蒸…… |
公开日期 | 2006-09-13 |
专利申请号 | 2144730.6 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11384] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 单崇新,范希武,张吉英,等. 硅衬底上生长II-VI族材料薄膜的方法 (发明). 2006-09-13. |
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