| 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法 (发明) | |
| 武晓杰 ; 张吉英 ; 刘可为 ; 申德振 ; 范希武 ; 李炳生 | |
| 2008-09-10 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及采用低压－金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和６００－６５０℃热处理。采用的反应源为：二甲基镉（ＤＭＣｄ），五羰基铁Ｆｅ（ＣＯ）↓［５］及硫化氢（Ｈ↓［２］Ｓ）。用Ｈ↓［２］作为载气。通过选择合适的反应源流速、沉积温度及生长室压力等参数及对Ｃｄ…… |
| 公开日期 | 2008-09-10 |
| 专利申请号 | 200510017029.1 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11375]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武晓杰,张吉英,刘可为,等. 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法 (发明). 2008-09-10. |
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