| 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 (发明) | |
| 廖新胜 ; 刘云 ; 王立军 | |
| 2004-10-06 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及湿法刻蚀中的光刻技术，将抛光的样品用溶剂超声清洗；用热的保护性气体将样品吹干去湿，经粘附增强剂处理；用光刻胶溶液旋转涂覆，在一定温度下烘干去除溶剂；前烘之后的样品完全曝光，再用光刻胶溶液旋转涂覆烘干并掩膜光刻，显影之后固化，得到厚的掩膜光刻胶，最后腐蚀。采用本发明提供的用普通ＵＶ光深层光刻的分离曝光技术，解决…… |
| 公开日期 | 2004-10-06 |
| 专利申请号 | 1120961.5 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11302]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖新胜,刘云,王立军. 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 (发明). 2004-10-06. |
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