| 用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 (发明) | |
| 赵东旭 ; 曹萍 ; 吕有明 ; 申德振 ; 李炳辉 | |
| 2009-09-16 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及半导体材料ｐ型氧化锌薄膜的制备方法，特别是一种用，ｎ型氧化锌制备ｐ型氧化锌薄膜的方法，由以下工艺步骤实现：ａ．将已准备好的ｎ型氧化锌薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积生长室；ｂ．打开机械泵抽真空，使真空度小于５０Ｐａ；ｃ．衬底加热到预定的温度１００～２００℃；ｄ．通入氨气，打开射频电源，输入功率为１０～３０瓦…… |
| 公开日期 | 2009-09-16 |
| 专利申请号 | 200710056189.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11052]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵东旭,曹萍,吕有明,等. 用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 (发明). 2009-09-16. |
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