| 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) | |
| 秦杰明 ; 姚斌 ; 张吉英 ; 申德振 ; 赵东旭 ; 张振中 ; 李炳辉 | |
| 2010-12-15 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为９５％～９９．９％ＺｎＯ和５％～０．１％Ｓｂ的混合粉体为原料，在压力为２～５．４ＧＰａ、温度为１４００～１６００℃条件下热压烧结制得ｐ型ＺｎＯ多晶体体材料。该方法制备的ｐ型ＺｎＯ半导体体材料，其载流子浓度为１．０×１０↑［１３～２１］ｃｍ↑［－３］，电阻率为１…… |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 专利申请号 | 200810050450.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11051]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦杰明,姚斌,张吉英,等. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明). 2010-12-15. |
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