| 一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明) | |
| 冯秋菊 ; 申德振 ; 张吉英 ; 吕有明 ; 范希武 ; 李炳生 | |
| 2005-11-16 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及用低压ＭＯＣＶＤ设备制备磁性薄膜的方法。首先放入清洗好的半绝缘衬底，在机械泵和低压控制器作用下将生长室压力控制在２．０×１０↑［３］Ｐａ－１０↑［４］Ｐａ，依次在生长室内通入由高纯氢气携带的反应源，生长温度为２５０℃－３５０℃，生长时间为３０分钟，即可在低压的条件下完成ＦｅＳｅ薄膜的生长。本发明利用低压金属有…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 200510016817.9 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11043]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯秋菊,申德振,张吉英,等. 一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明). 2005-11-16. |
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