| 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明) | |
| 秦杰明 ; 张吉英 ; 姚斌 ; 申德振 ; 赵东旭 ; 张振中 ; 李炳辉 | |
| 2010-11-10 | |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及制备Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ半导体合金体材料的方法，特别是一种制备单一立方相结构的Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ半导体合金体材料的方法。将按摩尔比为ＭｇＯ：０．３２～０．６１，ＺｎＯ：０．６８～０．３９的ＭｇＯ和ＺｎＯ粉体混合料在压力为４～６ＧＰａ、温度为１６００～２０００℃的条件下热压烧结制得Ｍｇ↓［…… |
| 公开日期 | 2010-11-10 |
| 专利申请号 | 200810050790.9 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11028]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦杰明,张吉英,姚斌,等. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明). 2010-11-10. |
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