| Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes | |
| 吕元杰[1]; 冯志红[1]; 林兆军[2]; 顾国栋[2]; 敦少博[1]; 尹甲运[1]; 韩婷婷[1]; 蔡树军[1] | |
| 刊名 | 中国物理B：英文版
 |
| 2014 | |
| 期号 | 02页码:421-425 |
| 关键词 | 肖特基二极管 AlGaN 电特性 异质 AIN 反向击穿电压 电压曲线 势垒高度 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4804241 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | Science and Technology on Application-Specific Integrated Circuit Laboratory, Hebei Semiconductor Research |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕元杰[1],冯志红[1],林兆军[2],et al. Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes[J]. 中国物理B：英文版,2014(02):421-425. |
| APA | 吕元杰[1].,冯志红[1].,林兆军[2].,顾国栋[2].,敦少博[1].,...&蔡树军[1].(2014).Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes.中国物理B：英文版(02),421-425. |
| MLA | 吕元杰[1],et al."Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes".中国物理B：英文版 .02(2014):421-425. |
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