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	A Modified Behavior SPICE Model for SiC BJT
	Liang, SW; Wang, J; Peng, ZG; Chen, GH; Yin, X; Shen, ZJ; Deng, LF; IEEE
会议名称	THIRTY-THIRD ANNUAL IEEE APPLIED POWER ELECTRONICS CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC 2018)
会议日期	2018
会议地点	238-243
关键词	Silicon Carbide (SiC) Bipolar Junction Transistor (BJT) Modeling SPICE
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4754359
专题	湖南大学
作者单位	Hunan Univ, Coll Elect & Informat Engn, Changsha, Hunan, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Liang, SW,Wang, J,Peng, ZG,et al. A Modified Behavior SPICE Model for SiC BJT[C]. 见:THIRTY-THIRD ANNUAL IEEE APPLIED POWER ELECTRONICS CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC 2018). 238-243. 2018.

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