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	Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
	Xin, Qian; Yan, Linlong; Du, Lulu; Zhang, Jiawei; Luo, Yi; Wang, Qingpu; Song, Aimin
刊名	THIN SOLID FILMS
	2016
卷号	616页码:569-572
关键词	Indium gallium zinc oxide Schottky diodes Radio-frequency magnetron sputtering
DOI	10.1016/j.tsf.2016.09.016
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4707836
专题	山东大学
作者单位	1.Shandong Univ, Ctr Nanoelect, Jinan 250100, Peoples R China. 2.[Xin, Qian 3.Ya
推荐引用方式 GB/T 7714	Xin, Qian,Yan, Linlong,Du, Lulu,et al. Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes[J]. THIN SOLID FILMS,2016,616:569-572.
APA	Xin, Qian.,Yan, Linlong.,Du, Lulu.,Zhang, Jiawei.,Luo, Yi.,...&Song, Aimin.(2016).Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes.THIN SOLID FILMS,616,569-572.
MLA	Xin, Qian,et al."Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes".THIN SOLID FILMS 616(2016):569-572.

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