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	Wafer-Scale Graphene on 4-Inch SiC
	Wan Cheng.Yu; Xiu Fang.Chen; Xiao Bo.Hu; Xian Gang.Xu
刊名	Materials Science Forum
	2016
期号	858页码:1133-1136
关键词	High Mobility,Epitaxial Graphene,Silicon Carbide (SiC),Wafer-Scale
DOI	10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1133
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4691614
专题	山东大学
作者单位	1.Shandong University 2.Shandong University 3.Shandong University 4.Shandong University
推荐引用方式 GB/T 7714	Wan Cheng.Yu,Xiu Fang.Chen,Xiao Bo.Hu,et al. Wafer-Scale Graphene on 4-Inch SiC[J]. Materials Science Forum,2016(858):1133-1136.
APA	Wan Cheng.Yu,Xiu Fang.Chen,Xiao Bo.Hu,&Xian Gang.Xu.(2016).Wafer-Scale Graphene on 4-Inch SiC.Materials Science Forum(858),1133-1136.
MLA	Wan Cheng.Yu,et al."Wafer-Scale Graphene on 4-Inch SiC".Materials Science Forum .858(2016):1133-1136.

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