SiH_4浓度对混合气体Ar/SiH_4/H_2放电过程中粒子密度分布的影响 | |
庄娟; 孙继忠; 桑超峰; 王德真 | |
2013 | |
会议名称 | 第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 |
会议日期 | 2013-08-15 |
会议地点 | 中国上海 |
关键词 | 粒子密度 Ar/SiH_4/H_2 SiH_4 微晶硅薄膜 放电过程 薄膜沉积 电子密度 混合气体 刻蚀作用 反应气体 |
页码 | 1 |
会议录 | 第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
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URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4644948 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 大连理工大学物理与光电工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄娟,孙继忠,桑超峰,等. SiH_4浓度对混合气体Ar/SiH_4/H_2放电过程中粒子密度分布的影响[C]. 见:第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会. 中国上海. 2013-08-15. |
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