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	Trapping Effects in CdSiO3：In^3＋ Long Afterglow Phosphor
	邝金勇[1]; 刘应亮[1]
	2006
卷号	23期号:1页码:204
关键词	陷落效应 余辉无机发光材料 光致发光 固有缺陷
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4620158
专题	暨南大学
作者单位	[1]Department of Chemistry, Jinan University, Guangzhou 510632
推荐引用方式 GB/T 7714	邝金勇[1],刘应亮[1]. Trapping Effects in CdSiO3：In^3＋ Long Afterglow Phosphor[J],2006,23(1):204.
APA	邝金勇[1],&刘应亮[1].(2006).Trapping Effects in CdSiO3：In^3＋ Long Afterglow Phosphor.,23(1),204.
MLA	邝金勇[1],et al."Trapping Effects in CdSiO3：In^3＋ Long Afterglow Phosphor".23.1(2006):204.

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