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	Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs
	马晓玉[1]; 邓婉玲[1]; 黄君凯[1]
	2014
卷号	35期号:3页码:5
关键词	多晶硅TFT 电流模型 双栅 对称 显式解 通道 泊松方程 表面电位
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4617691
专题	暨南大学
作者单位	[1]Department of Electronic Engineering, Jinan University, Guangzhou 510630, China
推荐引用方式 GB/T 7714	马晓玉[1],邓婉玲[1],黄君凯[1]. Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs[J],2014,35(3):5.
APA	马晓玉[1],邓婉玲[1],&黄君凯[1].(2014).Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs.,35(3),5.
MLA	马晓玉[1],et al."Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs".35.3(2014):5.

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