The charge trapping and memory effect in SiO2 thin films containing Ge nanocrystals | |
Ang, R ; Chen, TP ; Yang, M ; Wong, JI ; Yi, MD | |
刊名 | journal of physics d-applied physics
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2010-01-13 | |
卷号 | 43期号:1 |
学科主题 | 中科院强磁场科学中心 |
公开日期 | 2012-07-18 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/7301] ![]() |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院强磁场科学中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Ang, R,Chen, TP,Yang, M,et al. The charge trapping and memory effect in SiO2 thin films containing Ge nanocrystals[J]. journal of physics d-applied physics,2010,43(1). |
APA | Ang, R,Chen, TP,Yang, M,Wong, JI,&Yi, MD.(2010).The charge trapping and memory effect in SiO2 thin films containing Ge nanocrystals.journal of physics d-applied physics,43(1). |
MLA | Ang, R,et al."The charge trapping and memory effect in SiO2 thin films containing Ge nanocrystals".journal of physics d-applied physics 43.1(2010). |
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