射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响

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	射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响
	陈涛; 梁继然
刊名	天津大学学报
	2011
卷号	44 期号:10 页码:847-851
中文摘要	采用射频磁控溅射方法, 结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜, 研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析, 利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明, 在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下, 氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降; 经450, ℃热处理后, 氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性, 相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降; 在溅射功率为150, W时, 获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目,天津市应用基础及前沿技术研究重点资助项目,集成光电子学国家重点实验室基金资助项目,高等学校博士学科点专项科研基金资助项目
语种	中文
公开日期	2012-07-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23272]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	陈涛,梁继然. 射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响[J]. 天津大学学报,2011,44(10):847-851.
APA	陈涛,&梁继然.(2011).射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响.天津大学学报,44(10),847-851.
MLA	陈涛,et al."射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响".天津大学学报 44.10(2011):847-851.