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	Gallium bismuth halide GaBi-X2 （X = I, Br, CI） monolayers with distorted hexagonal framework： Novel room- temperature quantum spin Hall insulators
	Linyang Li[1]; Ortwin Leenaerts[1]; Xiangru Kong[2]; Xin Chen[3]; Mingwen Zhao[3]; Francois M. Peeters[1]
刊名	纳米研究：英文版
	2017
期号	06
关键词	量旋转霍尔(QSH ) 绝缘体 第一原则的计算 GaBi-X 2(X = 我， Br， Cl ) 单层 弄歪的六角形的框架 弄歪的迪拉克锥
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公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4584338
专题	山东大学
作者单位	1.Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium. 2.[Xiangr
推荐引用方式 GB/T 7714	Linyang Li[1],Ortwin Leenaerts[1],Xiangru Kong[2],等. Gallium bismuth halide GaBi-X2 （X = I, Br, CI） monolayers with distorted hexagonal framework： Novel room- temperature quantum spin Hall insulators[J]. 纳米研究：英文版,2017(06).
APA	Linyang Li[1],Ortwin Leenaerts[1],Xiangru Kong[2],Xin Chen[3],Mingwen Zhao[3],&Francois M. Peeters[1].(2017).Gallium bismuth halide GaBi-X2 （X = I, Br, CI） monolayers with distorted hexagonal framework： Novel room- temperature quantum spin Hall insulators.纳米研究：英文版(06).
MLA	Linyang Li[1],et al."Gallium bismuth halide GaBi-X2 （X = I, Br, CI） monolayers with distorted hexagonal framework： Novel room- temperature quantum spin Hall insulators".纳米研究：英文版 .06(2017).

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