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	锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究
	李天; 陈秀芳; 杨祥龙; 谢雪健; 张福生; 肖龙飞; 王荣堃; 徐现刚; 胡小波; 王瑞琪
刊名	无机材料学报
	2018
卷号	33期号:5页码:535-539
关键词	物理气相传输法 Ge掺杂 晶格匹配 欧姆接触 迁移率
DOI	10.15541/jim20170256
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4583952
专题	山东大学
作者单位	1.山东大学 2.全球能源互联网协同创新中心, 晶体材料国家重点实验室 3.全球能源互联网协同创新中心, 济南 4.济南, 5.250100 6.250061 7.山
推荐引用方式 GB/T 7714	李天,陈秀芳,杨祥龙,等. 锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究[J]. 无机材料学报,2018,33(5):535-539.
APA	李天.,陈秀芳.,杨祥龙.,谢雪健.,张福生.,...&于芃.(2018).锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究.无机材料学报,33(5),535-539.
MLA	李天,et al."锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究".无机材料学报 33.5(2018):535-539.

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