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	Pressure effects on the electronic properties of the undoped superconductor ThFeAsN
	Barbero, N.; Holenstein, S.; Shang, T.; Shermadini, Z.; Lochner, F.; Eremin, I.; Wang, C.; Cao, G. -H.; Khasanov, R.; Ott, H. -R.
刊名	PHYSICAL REVIEW B
	2018
卷号	97期号:14
DOI	10.1103/PhysRevB.97.140506
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4580805
专题	山东大学
作者单位	1.Swiss Fed Inst Technol, Lab Festkorperphys, CH-8093 Zurich, Switzerland. 2.[Holenstein, S. 3.Shang,
推荐引用方式 GB/T 7714	Barbero, N.,Holenstein, S.,Shang, T.,et al. Pressure effects on the electronic properties of the undoped superconductor ThFeAsN[J]. PHYSICAL REVIEW B,2018,97(14).
APA	Barbero, N..,Holenstein, S..,Shang, T..,Shermadini, Z..,Lochner, F..,...&Geng D.(2018).Pressure effects on the electronic properties of the undoped superconductor ThFeAsN.PHYSICAL REVIEW B,97(14).
MLA	Barbero, N.,et al."Pressure effects on the electronic properties of the undoped superconductor ThFeAsN".PHYSICAL REVIEW B 97.14(2018).

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