| 脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响 | |
| 王昆仑; 辛艳青 | |
| 刊名 | 真空
 |
| 2018 | |
| 期号 | 02页码:30-33 |
| 关键词 | ITO薄膜 磁控溅射 脉冲偏压 电学特性 |
| DOI | 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.02.08 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 公开日期 | [db:dc_date_available] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4573813 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 山东大学空间科学与物理学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王昆仑,辛艳青. 脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响[J]. 真空,2018(02):30-33. |
| APA | 王昆仑,&辛艳青.(2018).脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响.真空(02),30-33. |
| MLA | 王昆仑,et al."脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响".真空 .02(2018):30-33. |
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