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	Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
	Ma, Pengfei; Sun, Jiamin; Liang, Guangda; Li, Yunpeng; Xin, Qian; Li, Yuxiang; Song, Aimin
刊名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	2018
卷号	113期号:6
DOI	10.1063/1.5037410
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4568074
专题	山东大学
作者单位	Shandong Univ, Ctr Nanoelect, Jinan 250100, Shandong, Peo
推荐引用方式 GB/T 7714	Ma, Pengfei,Sun, Jiamin,Liang, Guangda,et al. Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2018,113(6).
APA	Ma, Pengfei.,Sun, Jiamin.,Liang, Guangda.,Li, Yunpeng.,Xin, Qian.,...&Song, Aimin.(2018).Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric.APPLIED PHYSICS LETTERS,113(6).
MLA	Ma, Pengfei,et al."Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric".APPLIED PHYSICS LETTERS 113.6(2018).

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