外部和内部因素对纳米晶合金 kHz 级饱和磁化过程影响的微磁学分析 | |
韩智云; 邹亮; 伍珈乐; 张黎; 赵彤 | |
刊名 | 电工技术学报
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2019 | |
卷号 | 34期号:8页码:1589-1598 |
关键词 | 纳米晶合金 微磁学模拟 饱和磁化过程 磁矩偏转 磁化频率 直流偏置磁场晶粒尺寸 |
DOI | 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80436 |
URL标识 | 查看原文 |
公开日期 | [db:dc_date_available] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4546205 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.山东大学电气工程学院, 济南, 山东 250061, 中国 2.山东大学电气工程学院, 济南, 山东 250061, 中国 3.山东大学电气工程学院, 济南, 山东 25006 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩智云,邹亮,伍珈乐,等. 外部和内部因素对纳米晶合金 kHz 级饱和磁化过程影响的微磁学分析[J]. 电工技术学报,2019,34(8):1589-1598. |
APA | 韩智云,邹亮,伍珈乐,张黎,&赵彤.(2019).外部和内部因素对纳米晶合金 kHz 级饱和磁化过程影响的微磁学分析.电工技术学报,34(8),1589-1598. |
MLA | 韩智云,et al."外部和内部因素对纳米晶合金 kHz 级饱和磁化过程影响的微磁学分析".电工技术学报 34.8(2019):1589-1598. |
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