CORC  > 大连理工大学
400 nm高性能紫光LED的制作与表征
王东盛; 郭文平; 张克雄; 梁红伟; 宋世巍; 杨德超; 申人升; 柳阳; 夏晓川; 骆英民
刊名发光学报
2013
卷号34页码:225-229
关键词金属有机物化学气相沉积 紫光发光二极管 GaN发光二极管 电子阻挡层 超晶格
ISSN号1000-7032
URL标识查看原文
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4535584
专题大连理工大学
作者单位1.大连理工大学物理与光电学院,辽宁大连116024
2.江苏新广联科技股份有限公司,江苏无锡214192
3.江苏新广联科技股份有限公司,江苏无锡,214192
4.大连理工大学物理与光电学院,辽宁大连,116024
5.大连理工大学物理与光电学院,辽宁大连116024
6.中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
7.吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,吉林长春,130012
推荐引用方式
GB/T 7714
王东盛,郭文平,张克雄,等. 400 nm高性能紫光LED的制作与表征[J]. 发光学报,2013,34:225-229.
APA 王东盛.,郭文平.,张克雄.,梁红伟.,宋世巍.,...&杜国同.(2013).400 nm高性能紫光LED的制作与表征.发光学报,34,225-229.
MLA 王东盛,et al."400 nm高性能紫光LED的制作与表征".发光学报 34(2013):225-229.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace