| 多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响 | |
| 李佳艳; 游小刚; 谭毅; 郭素霞 | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2013 | |
| 卷号 | 42页码:2364-2368,2379 |
| 关键词 | 多孔硅 电化学腐蚀 吸杂 电阻率 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4535393 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学材料科学与工程学院,大连116024 2.大连理工大学辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,大连116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李佳艳,游小刚,谭毅,等. 多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响[J]. 人工晶体学报,2013,42:2364-2368,2379. |
| APA | 李佳艳,游小刚,谭毅,&郭素霞.(2013).多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响.人工晶体学报,42,2364-2368,2379. |
| MLA | 李佳艳,et al."多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响".人工晶体学报 42(2013):2364-2368,2379. |
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