多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线 | |
杨玮; 吕小毅; 吴荣; 郑毓峰; 孙言飞; 简基康 | |
刊名 | 新疆大学学报(自然科学版)
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2010 | |
期号 | [db:dc_citation_issue]页码:469-472 |
关键词 | GaN 化学气相沉积法 纳米线 多孔硅 |
ISSN号 | 1000-2839 |
DOI | [db:dc_identifier_doi] |
URL标识 | 查看原文 |
WOS记录号 | [db:dc_identifier_wosid] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4503909 |
专题 | 西安交通大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨玮,吕小毅,吴荣,等. 多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线[J]. 新疆大学学报(自然科学版),2010([db:dc_citation_issue]):469-472. |
APA | 杨玮,吕小毅,吴荣,郑毓峰,孙言飞,&简基康.(2010).多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线.新疆大学学报(自然科学版)([db:dc_citation_issue]),469-472. |
MLA | 杨玮,et al."多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线".新疆大学学报(自然科学版) .[db:dc_citation_issue](2010):469-472. |
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