硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨

	硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨
	张瑞峰 ; 肖树义
刊名	仪器仪表学报
	1982
卷号	3 期号:2 页码:123-128
关键词	硫化镉结区透光率异质结太阳电池真空蒸发法热处理温度多晶不同条件
ISSN号	0254-3087
中文摘要	本文描述了用真空蒸发法沉积CdS薄膜,再通过CuCl水溶液浸渍法形成p-n结制成CdS/Cu_2S太阳电池的工艺。并报导了电池的主要性能参数,通过对比条件试验和离子探针分析,对CdS/Cu_2太阳电池的光热协同效应进行了探讨,并提出了多晶CdS/Cu_2S太阳电地是一种“递变结”的想法。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2012-06-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47238]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张瑞峰,肖树义. 硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨[J]. 仪器仪表学报,1982,3(2):123-128.
APA	张瑞峰,&肖树义.(1982).硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨.仪器仪表学报,3(2),123-128.
MLA	张瑞峰,et al."硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨".仪器仪表学报 3.2(1982):123-128.