Nephelauxetic效应研究

	Nephelauxetic效应研究
	张思远
刊名	发光学报
	1982
期号	3 页码:12-18
关键词	晶场劈裂 Slater积分能级差晶场作用自由离子效应研究晶场哈密顿量晶体配位体
ISSN号	1000-7032
通讯作者	张思远
中文摘要	本文对Nephelauxetic效应的产生原因进行了研究讨论,指出了这种效应的主要依赖因素是i(键的离子化程度),M(配位数)和R(中心金属离子和配位体间的平均键长)。向时,也指出了产生正,反Nephelauxetic效应的条件。讨论了稀士系列化合物的能级移动规律和合理的解释了固体中光潜线的红移和蓝移。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2012-06-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47169]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张思远. Nephelauxetic效应研究[J]. 发光学报,1982(3):12-18.
APA	张思远.(1982).Nephelauxetic效应研究.发光学报(3),12-18.
MLA	张思远."Nephelauxetic效应研究".发光学报 .3(1982):12-18.