Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer | |
Ji, Panfeng ; Liu, Naixin ; Wei, Tongbo ; Liu, Zhe ; Lu, Hongxi ; Wang, Junxi ; Li, Jinmin | |
刊名 | journal of semiconductors
![]() |
2011 | |
卷号 | 32期号:11页码:114006 |
关键词 | Efficiency Electrostatic devices Electrostatic discharge Superlattices Voltage control |
ISSN号 | 16744926 |
通讯作者 | ji, p.(jipanfeng@semi.ac.cn) |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-06-14 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23144] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Ji, Panfeng,Liu, Naixin,Wei, Tongbo,et al. Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer[J]. journal of semiconductors,2011,32(11):114006. |
APA | Ji, Panfeng.,Liu, Naixin.,Wei, Tongbo.,Liu, Zhe.,Lu, Hongxi.,...&Li, Jinmin.(2011).Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer.journal of semiconductors,32(11),114006. |
MLA | Ji, Panfeng,et al."Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer".journal of semiconductors 32.11(2011):114006. |
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