电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响 | |
游小刚; 谭毅; 李佳艳; 石爽; 郭素霞 | |
刊名 | 功能材料 |
2014 | |
卷号 | 45页码:8129-8133 |
关键词 | 多孔硅 电子束注入 吸杂 电阻率 porous silicon electron beam injection gettering resistivity |
ISSN号 | 1001-9731 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4423625 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 大连理工大学 材料科学与工程学院,辽宁 大连,116024 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 游小刚,谭毅,李佳艳,等. 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响[J]. 功能材料,2014,45:8129-8133. |
APA | 游小刚,谭毅,李佳艳,石爽,&郭素霞.(2014).电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响.功能材料,45,8129-8133. |
MLA | 游小刚,et al."电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响".功能材料 45(2014):8129-8133. |
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