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低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响
蒋相站; 张季; 李文亮; 姚洪斌; 刘永新; 刘佳
刊名科学技术与工程
2014
卷号14页码:41-44,58
关键词双频容性耦合等离子体 四极杆质谱 离子能量分布 平均能量
ISSN号1671-1815
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4422636
专题大连理工大学
作者单位1.新疆工程学院新能源材料研究教育厅重点实验室,乌鲁木齐,830091
2.大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024
推荐引用方式
GB/T 7714
蒋相站,张季,李文亮,等. 低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响[J]. 科学技术与工程,2014,14:41-44,58.
APA 蒋相站,张季,李文亮,姚洪斌,刘永新,&刘佳.(2014).低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响.科学技术与工程,14,41-44,58.
MLA 蒋相站,et al."低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响".科学技术与工程 14(2014):41-44,58.
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