低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响 | |
蒋相站; 张季; 李文亮; 姚洪斌; 刘永新; 刘佳 | |
刊名 | 科学技术与工程
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2014 | |
卷号 | 14页码:41-44,58 |
关键词 | 双频容性耦合等离子体 四极杆质谱 离子能量分布 平均能量 |
ISSN号 | 1671-1815 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4422636 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 1.新疆工程学院新能源材料研究教育厅重点实验室,乌鲁木齐,830091 2.大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋相站,张季,李文亮,等. 低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响[J]. 科学技术与工程,2014,14:41-44,58. |
APA | 蒋相站,张季,李文亮,姚洪斌,刘永新,&刘佳.(2014).低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响.科学技术与工程,14,41-44,58. |
MLA | 蒋相站,et al."低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响".科学技术与工程 14(2014):41-44,58. |
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