| 宽带隙半导体SiC器件表面界面基础问题研究进展 | |
| 王德君 | |
| 2015 | |
| 会议名称 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 |
| 会议日期 | 2015-10-30 |
| 会议地点 | 苏州 |
| 关键词 | SiC 欧姆接触 表面 MOS界面 界面态 |
| 页码 | 97-98 |
| 会议录 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4413524 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德君. 宽带隙半导体SiC器件表面界面基础问题研究进展[C]. 见:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议. 苏州. 2015-10-30. |
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