| SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 | |
| 蒋建华; 梁红伟; 夏晓川; 黄慧诗; 闫晓密 | |
| 2015 | |
| 权利人 | 江苏新广联科技股份有限公司 大连理工大学 |
| 公开日期 | 2015-10-14 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 申请日期 | 2015-05-26 |
| 内容类型 | 专利 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4404452 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.江苏新广联科技股份有限公司 2.大连理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋建华,梁红伟,夏晓川,等. SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法. 2015-01-01. |
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