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题名	高清晰度液晶显示用薄膜晶体管的研制
作者	李牧菊
学位类别	博士
答辩日期	2001
授予单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
授予地点	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
导师	杨柏梁
关键词	薄膜晶体管 非晶硅 多晶硅 激光退火 隙态密度 载流子迁移率 场助热电子发射 欧姆接触 信号延迟
学位专业	凝聚态物理
中文摘要	本论文围绕高清晰度液晶显示用薄膜晶体管进行研究，通过材料制备工艺及器，件结构的优化，实现适用于大容量、高品质液晶显示的寻址和驱动的薄膜晶体管的开发。从非晶硅及多晶硅薄膜晶体管（简称a－Si /p－Si TFT）的基本薄膜材料a－Si:H及p－Si出发，在充分了解材料结构特点的基础上，深入分析了它们的导电机制及制约材料电学特性的主要因素。以此为指导，分别采用等离子增强化学气相淀积（简称PECVD）和低温激光退火的方法，优化制备了a－Si:H及p－Si薄膜材料，通过红外透射光谱（IR）、电子扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）及原子力显微镜（AFM）等检测手段对材料组分及结构进行了详细的分析和表征，获得了高品质的a－Si:H及p－Si薄膜。对于TFT器件的设计，首先建立了a－Si TFT的电学模型，综合TFT器件及液晶像素对信号驱动和图像显示的要求，优化设计并成功制备了开关比大于6个数量级的a－Si TFT及3英寸视频显示样机。其次，针对目前液晶领域的开发热点，p－S i TFT技术，我们从制约p－Si TFT应用的关键问题，关态漏电流严重的问题出发，依据材料结构特点，建立了pSi TFT关态漏电流的电学模型，阐明了漏电流的产生机理，并提出了相应的解决方案。在此基础上，优化设计了源漏轻掺杂（LDD）结构的p－51器件，其关态漏电流相对简单结构的p－Si TFT要低至少3个数量级，从而实现了漏电流的抑制及高开关比p－Si TFT的设计。此外，考虑大面积、高分辨率液晶显示器中因信号延迟而导致的图像夫真问题，通过合理简化液晶矩阵的等效电路，对信号延迟现象进行了分析模型的建立和参数的模拟，为显示器件的设计和制备提供了参考。在此基础上，开发了低阻铝合金及双层薄膜材料，通过掺杂或连续淀积的方式，获得了电阻率较低、热稳定性较强的Al-Cr, Al－Ta合金和Al－Mo双层薄膜。
语种	中文
公开日期	2012-03-21
页码	118
内容类型	学位论文
源URL	[http://159.226.165.120//handle/181722/1513]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	李牧菊. 高清晰度液晶显示用薄膜晶体管的研制[D]. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所. 2001.

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