| 题名 | 影响场致发光亮度的几个因素及蓝色发光材料的试制 |
| 作者 | 许秀来 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1999-12 |
| 授予单位 | 中国科学院长春光机与物理研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院长春光机与物理研究所 |
| 导师 | 徐叙瑢 |
| 关键词 | 薄膜 电致发光 蓝色发光 发光材料 |
| 中文摘要 | 本论文主要研究了蓝色薄膜电致发光的绝缘层中电子加速导致的直接碰撞激发，发光层的能级及材料的稳定性等几个方面进行了仔细的研究。并且试制了氧化物为基质的薄膜电致发光，得到了较好的蓝色发光。具体表现在以下几个方面：用有机小分子Alq作为发光层，不仅得到了通常的Alq的激子发光518nm，而且的到了在高场下激子离化后，或不能形成激子的带间发光。由于Alq具有电子传输特性，要有空穴注入才能发光，这样所观察的发光，既证明了绝缘层中电子加速，又证明了过热电子对发光层的直接碰撞。这在有机发光二极管讨论激子离化现象也具有较大的意义。为选择发光材料，计算了ZnS材料为基质的薄膜电致发光中激发态电子的离化几率，得出基质的禁带宽度要足够大，发光中心的激发态能级要远离导带底足够远，为此作了SrS薄膜电致发光器件。研究了以SrS为基质时硫空位的影响。通过XPS等方法，得出由于硫空位的存在使得器件稳定性难以解决。所以又研究了以氧化物为基质的薄膜电致发光器件。合成了Gd_3Ga_5O_(12):Ag材料，并用电子束蒸发的方法制得了TFEL器件，得到了较好的467nm的蓝色发光，和397nm和467nm的蓝紫色发光。并对粉末和薄膜的成分进行了分析，得出粉末的成份主要为Gd_3Ga_5O_(12), 而薄膜的主要取向为（400）。通过对不配比的基质材料吸收光谱，光致发光的测量得出397nm发光来源于氧空位。以Ta_2O_5作绝缘层的Gd_3Ga_5O_(12):Ce的TFEL得到4个发光峰。它们分别位于358nm，390nm，440nm和510nm。其中510nm来自于Ce~(3+)的4f-5d的跃迁。而390nm和440nm根据上面的讨论可得到分别来自于Gd_2O_3和Ga_2O_3的氧空位。而以SiO_2作绝缘层的Gd_3Ga_5O_(12):Ce的器件得到了430nm和510,550nm的发光。发现并解释了这三个峰随着电压和频率变化的变色现象。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 页码 | 58 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/1289]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许秀来. 影响场致发光亮度的几个因素及蓝色发光材料的试制[D]. 中国科学院长春光机与物理研究所. 中国科学院长春光机与物理研究所. 1999. |
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