| 题名 | 磁性双层膜的界面耦合效应研究 |
| 作者 | 曹宇明 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008-01-15 |
| 授予单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理所 |
| 授予地点 | 长春光学精密机械与物理所 |
| 导师 | 杨景海 |
| 关键词 | 铁磁 反铁磁 连续膜 纳米结构双层膜 耦合效应 |
| 其他题名 | Studies on interface coupling Effect in Ferromagnetic/antiferromagnetic Film |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 中文摘要 | 在磁记录密度提高的过程中，铁磁(FM)/反铁磁(AFM)双层膜的交换偏置在其中起了重要的作用，它不仅是自旋阀巨磁电阻(GMR)材料的基本结构，也是目前广为关注的磁随机存储器(MRAM)的重要组成部分。本论文对FM/ AFM双层膜进行了研究，主要包括三方面的内容：一是研究了连续膜中反铁磁掺杂金属颗粒对交换偏置的影响；二是对纳米结构阵列磁性膜的制备及其偏置效应进行研究；三是研究了稀土-过渡族合金TbFe与金属铁磁层Co之间的交换偏置效应。得到的主要结果如下： 一．掺杂的反铁磁/铁磁之间的耦合效应 1.金属Co片与NiO组成复合靶材，用射频溅射的方法制备了一系列Co掺杂 NiO/FeNi双层膜。SEM、XPS和SQUID研究表明，金属Co以团簇的状态镶嵌在NiO的基质中，这种结构导致了双层膜偏置场的增加。 二．纳米结构阵列磁性膜的交换偏置 1.采用自组装法来制备了聚苯乙烯胶体球的单层膜，排列出不同尺寸的大面积有序的二维胶体球模板。 2.以胶体球为掩模，制备了大面积NiO/FeNi双层膜二维有序点阵结构。研究表明，与相同生长条件下制备的连续膜比较，纳米点阵列中磁性层厚度减小使得交换偏置场有所提高，而纳米点阵结构中缺陷的增多是HC增加的一个原因。 三．TbFe/Co双层膜的界面耦合效应 1.稀土-过渡族合金TbFe的比例为14：86，厚度小于750 Å的条件下，其单层膜具有很好的垂直各向异性，并且400 Å的Tb14Fe86矫顽力只有800Oe。 2.Tb14Fe86/Co双层膜中，当金属Co的厚度小于30 Å时， Tb14Fe86迫使Co的磁矩由平面方向转为垂直方向，二者一致转动；Co的厚度大于30 Å时，出现了面内和垂直两磁性相的分离。 3.双层膜界面处TbFe磁矩的面内分量与Co的面内磁矩之间的交换耦合，导致Tb14Fe86/Co双层膜的磁滞回线出现偏置现象，并且矫顽力增强。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 页码 | 61 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/765]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹宇明. 磁性双层膜的界面耦合效应研究[D]. 长春光学精密机械与物理所. 中国科学院长春光学精密机械与物理所. 2008. |
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