| 氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响 | |
| 王晓琳; 刘冰冰; 秦福文; 王德君 | |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 36页码:71-77 |
| 关键词 | 碳化硅 可靠性 电子回旋共振等离子体 表面处理 经时击穿 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4392963 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院, 大连, 辽宁 116024, 中国 2.大连理工大学, 三束材料改性教育部重点实验室, 大连, 辽宁 116024, 中国 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓琳,刘冰冰,秦福文,等. 氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2016,36:71-77. |
| APA | 王晓琳,刘冰冰,秦福文,&王德君.(2016).氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响.固体电子学研究与进展,36,71-77. |
| MLA | 王晓琳,et al."氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响".固体电子学研究与进展 36(2016):71-77. |
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