强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究

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	强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究
	李元恒
刊名	中国激光
	1982
期号	5 页码:82
关键词	Si片椭圆偏振光强激光辐照时间激光退火集成电路样片激光辐照离子注入
ISSN号	0258-7025
通讯作者	李元恒
中文摘要	<正> 用强激光辐照的方法对集成电路用的离子注入Si进行退火是近几年大力研究的一个问题。至今为止绝大多数的激光退火都是采用红宝石、YAG、氩离子等波长较短的激光器。实验虽已证实CO_2激光的退火效果完全可与其他激光比美,然而研究者甚少,且基本上限于最后结果的观测。激光作为电磁波,其趋肤深度
语种	中文
公开日期	2009-08-03 ; 2010-08-20
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/38076]
专题	力学研究所_力学所知识产出(1956-2008)
通讯作者	李元恒
推荐引用方式 GB/T 7714	李元恒. 强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究[J]. 中国激光,1982(5):82.
APA	李元恒.(1982).强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究.中国激光(5),82.
MLA	李元恒."强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究".中国激光 .5(1982):82.