红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究
王春奎; 傅裕寿
刊名仪器仪表学报
1982
卷号3期号:4页码:391-395
关键词电阻率 光吸收系数 红外光 光子 理论分析 空穴迁移率 探测仪 时间响应 吸收截面
ISSN号0254-3087
通讯作者王春奎
中文摘要本文对红外(10.6μm)光子牵引探测仪中P型锗的吸收系数与电阻率的关系进行了讨论。导出了P型锗对10.6μm光的吸收系数的简便公式。进而根据理论分析,给出了光子牵引探测仪锗棒的电阻率、长度及截面等最佳参数的选取原则和结果。利用文章中的公式可以很方便地计算锗元件参数和响应率。本文对光子牵引探测仪的制作有一定的指导意义。
语种中文
公开日期2009-08-03 ; 2010-08-20
内容类型期刊论文
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/38040]  
专题力学研究所_力学所知识产出(1956-2008)
通讯作者王春奎
推荐引用方式
GB/T 7714
王春奎,傅裕寿. 红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究[J]. 仪器仪表学报,1982,3(4):391-395.
APA 王春奎,&傅裕寿.(1982).红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究.仪器仪表学报,3(4),391-395.
MLA 王春奎,et al."红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究".仪器仪表学报 3.4(1982):391-395.
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