| C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究 | |
| 宋世巍; 张东; 赵琰; 王存旭; 柯昀洁; 李昱材; 王健; 王刚; 丁艳波; 王晗 | |
| 刊名 | 沈阳师范大学学报（自然科学版）
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 34页码:140-143 |
| 关键词 | N面GaN 光致发光 镓空位 |
| ISSN号 | 1673-5862 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4359560 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.沈阳工程学院 新能源学院,沈阳,110136 2.沈阳工程学院 新能源学院,沈阳 110136 3.大连理工大学 物理与光电工程学院,辽宁 大连 116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋世巍,张东,赵琰,等. C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究[J]. 沈阳师范大学学报（自然科学版）,2016,34:140-143. |
| APA | 宋世巍.,张东.,赵琰.,王存旭.,柯昀洁.,...&郭瑞.(2016).C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究.沈阳师范大学学报（自然科学版）,34,140-143. |
| MLA | 宋世巍,et al."C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究".沈阳师范大学学报（自然科学版） 34(2016):140-143. |
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