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	长波InAs／GaSb II类超晶格红外探测器
	周易[1,2]; 陈建新[1]; 徐庆庆[1]; 徐志成[1,2]; 靳川[1,2,3]; 许佳佳[1]; 金巨鹏[1,2]; 何力[1]
	2013
卷号	32期号:3页码:210
关键词	InAs/GaSbⅡ类超晶格 长波12.5μm 暗电流
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4297775
专题	暨南大学
作者单位	1.[1]中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室,上海200083 2.[2]中国科学院研究生院,北京100039 3.[3]暨南大学光电工程研究所,广东广州510632
推荐引用方式 GB/T 7714	周易[1,2],陈建新[1],徐庆庆[1],等. 长波InAs／GaSb II类超晶格红外探测器[J],2013,32(3):210.
APA	周易[1,2].,陈建新[1].,徐庆庆[1].,徐志成[1,2].,靳川[1,2,3].,...&何力[1].(2013).长波InAs／GaSb II类超晶格红外探测器.,32(3),210.
MLA	周易[1,2],et al."长波InAs／GaSb II类超晶格红外探测器".32.3(2013):210.

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