光刻过程RtR控制方法研究进展分析

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	光刻过程RtR控制方法研究进展分析
	胡静涛
刊名	半导体技术
	2011
卷号	36 期号:3 页码:199-205
关键词	半导体制造业光刻过程 RtR控制过程控制模型预测控制多变量控制器控制方法研究进展关键尺寸过程建模
ISSN号	1003-353X
其他题名	Research Analysis of RtR Control Method for Lithography Process
通讯作者	王亮
产权排序	1
中文摘要	首先对光刻过程和RtR(Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构。然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三种控制器在非线性控制、单变量控制、多变量控制的适用性和优化控制效果进行了比较分析。最后指出基于MPC的非线性多变量控制器将成为光刻过程RtR控制器的主要研究方向。
英文摘要	Firstly,the lithography process and background of RtR control technique were introduced.The shortage of statistical process control was analyzed and the general structure of the RtR controller was given.Then,an overview and evaluation about EWMA,MPC and ANN controllers of the lithography process were given in the ways of modeling and control algorithms.Besides,the comparative analysis of the nonlinear control,SISO control,MISO control,MIMO control and optimization control quality of three controllers were p...
收录类别	CSCD
资助信息	国家科技重大专项(2009ZX02001-005); 沈阳市科技计划资助项目(108155202200)
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:4158025
公开日期	2012-05-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sia.ac.cn/handle/173321/6982]
专题	沈阳自动化研究所_工业信息学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	胡静涛. 光刻过程RtR控制方法研究进展分析[J]. 半导体技术,2011,36(3):199-205.
APA	胡静涛.(2011).光刻过程RtR控制方法研究进展分析.半导体技术,36(3),199-205.
MLA	胡静涛."光刻过程RtR控制方法研究进展分析".半导体技术 36.3(2011):199-205.