掺钨VO2薄膜的电致相变特性 | |
张娇[1]; 李毅[1,2]; 刘志敏[1]; 李政鹏[1]; 黄雅琴[1]; 裴江恒[1]; 方宝英[1]; 王晓华[1,3]; 肖寒[1,4] | |
刊名 | 物理学报 |
2017 | |
卷号 | 66期号:23 |
关键词 | 掺钨VO2薄膜 电致相变 阈值电压 光透过率 |
ISSN号 | 1000-3290 |
URL标识 | 查看原文 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4268389 |
专题 | 上海健康医学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张娇[1],李毅[1,2],刘志敏[1],等. 掺钨VO2薄膜的电致相变特性[J]. 物理学报,2017,66(23). |
APA | 张娇[1].,李毅[1,2].,刘志敏[1].,李政鹏[1].,黄雅琴[1].,...&肖寒[1,4].(2017).掺钨VO2薄膜的电致相变特性.物理学报,66(23). |
MLA | 张娇[1],et al."掺钨VO2薄膜的电致相变特性".物理学报 66.23(2017). |
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