掺钨VO_2薄膜的电致相变特性 | |
张娇; 李毅; 刘志敏; 李政鹏; 黄雅琴; 裴江恒; 方宝英; 王晓华; 肖寒 | |
刊名 | 物理学报 |
2017 | |
卷号 | 66期号:23 |
关键词 | 掺钨VO2薄膜 电致相变 阈值电压 光透过率 |
ISSN号 | 1000-3290 |
URL标识 | 查看原文 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4267014 |
专题 | 上海健康医学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张娇,李毅,刘志敏,等. 掺钨VO_2薄膜的电致相变特性[J]. 物理学报,2017,66(23). |
APA | 张娇.,李毅.,刘志敏.,李政鹏.,黄雅琴.,...&肖寒.(2017).掺钨VO_2薄膜的电致相变特性.物理学报,66(23). |
MLA | 张娇,et al."掺钨VO_2薄膜的电致相变特性".物理学报 66.23(2017). |
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