| 用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物 | |
| 张才国; 余祖兴; 王柱; 黄哲; 周骏 | |
| 刊名 | 核技术
 |
| 1987 | |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 正电子湮没 正电子寿命谱 超导材料 Ba-Y-Cu氧化物 多普勒展宽 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4248901 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张才国,余祖兴,王柱,等. 用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物[J]. 核技术,1987(12). |
| APA | 张才国,余祖兴,王柱,黄哲,&周骏.(1987).用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物.核技术(12). |
| MLA | 张才国,et al."用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物".核技术 .12(1987). |
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