| 多孔结构盐酸/g-C3N4光电阴极的制备和表征 | |
| 刘一; 阮秋实; 马桃林 | |
| 刊名 | Journal of Beijing Institute of Graphic Communication
 |
| 2019 | |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | g-C3N4 盐酸 半导体材料 多孔结构 光电阴极 |
| ISSN号 | 1004-8626 |
| DOI | 10.19461/j.cnki.1004-8626.2019.04.028 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4248140 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘一,阮秋实,马桃林. 多孔结构盐酸/g-C3N4光电阴极的制备和表征[J]. Journal of Beijing Institute of Graphic Communication,2019(04). |
| APA | 刘一,阮秋实,&马桃林.(2019).多孔结构盐酸/g-C3N4光电阴极的制备和表征.Journal of Beijing Institute of Graphic Communication(04). |
| MLA | 刘一,et al."多孔结构盐酸/g-C3N4光电阴极的制备和表征".Journal of Beijing Institute of Graphic Communication .04(2019). |
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