| 基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器 | |
| 余得水; 何进; 陈伟; 王豪; 常胜; 黄启俊; 童志强 | |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 2018 | |
| 卷号 | 48 |
| 关键词 | 高灵敏度 跨阻放大器 双AGC电路 有源电感峰化 温度补偿 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| DOI | 10.13911/j.cnki.1004-3365.170382 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4220223 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余得水,何进,陈伟,等. 基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器[J]. 微电子学,2018,48. |
| APA | 余得水.,何进.,陈伟.,王豪.,常胜.,...&童志强.(2018).基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器.微电子学,48. |
| MLA | 余得水,et al."基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器".微电子学 48(2018). |
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